[发明专利]磁阻式随机存取存储器有效
| 申请号： | 201910384092.0 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111916472B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 黄鼎翔;盛义忠;薛胜元;李国兴;康智凯 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其中半导体元件主要包含一基底，一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及一逻辑区域设于基底上，一MTJ设于该MTJ区域上以及一第一金属内连线设于该MTJ上，其中该MTJ的上视剖面包含一圆形且该第一金属内连线的上视剖面包含一平椭圆重叠该圆形。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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