[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910384252.1 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110473874A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 白石千 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张青<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括：具有第一区和第二区的衬底；栅电极，其在第一区中在垂直于衬底的第一方向上堆叠，并且在第二区中在垂直于第一方向的第二方向上延伸不同的长度；第一分离区，其在第一区和第二区中，穿过栅电极，在第二方向上延伸，并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此隔开；第二分离区，其位于第一分离区之间，穿过栅电极和在第二方向上延伸，第二分离区的一些部分在第二区中在第二方向上彼此隔开；以及绝缘区，其在第三方向上延伸，以将栅电极中的至少一个分离为在第二方向上彼此邻近的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 分离区 栅电极 第一区 延伸 垂直 衬底 隔开 穿过 半导体装置 绝缘区 堆叠 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n具有第一区和第二区的衬底；/n栅电极，其堆叠以在所述第一区中在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此隔开，所述栅电极在所述第二区中在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸不同的长度；/n第一分离区，其排列在所述第一区和所述第二区中，以穿过所述栅电极，以在所述第二方向上延伸，并且在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上彼此隔开；/n第二分离区，其排列在所述第一分离区之间，以穿过所述栅电极和在所述第二方向上延伸，所述第二分离区的一些部分在所述第二区中在所述第二方向上彼此隔开；以及/n绝缘区，其在所述第三方向上延伸，以将所述栅电极中的至少一个分离为在所述第二方向上彼此邻近的两部分。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
