[发明专利]一种多单晶硅切割渣熔炼方法

摘要

本发明公开了一种多单晶硅切割渣熔炼方法，解决了现有的硅切割渣熔炼感应炉的炉顶无遮盖，会因为氧气对硅的氧化或者抽气装置将硅粉抽走以及熔炼时温度不均匀容易造成硅熔融液飞溅等造成熔炼硅的收率降低的问题。本发明包括以下步骤：打开盖体进行投料、关闭盖体，调节石墨板高度，感应加热和底部通惰性气体，熔炼，起炉出料。本发明具有能有效防止熔渣结壳、硅氧化以及硅粉被吸尘装置抽走，炼硅收率高等优点。

主权项

1.一种多单晶硅切割渣熔炼方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：启动提升装置提起盖体(1)，向坩埚(3)中加入硅切割渣；步骤2：启动提升装置使其下降，将盖体(1)盖上，调节石墨板(4)与所述坩埚(3)接触；步骤3：开启感应线圈进行感应加热，开启底部的气阀(17)，开始通惰性气体；步骤4：在熔炼温度为1500‑1700℃的条件下熔炼1.5‑2.0h；步骤5：停止感应线圈加热和通气，起炉出料；所述石墨板(4)上设置多个通孔。