[发明专利]一种计算光刻建模方法及装置

摘要

本申请涉及集成电路制造技术领域，公开了一种计算光刻建模方法及装置，在该方法中，通过获取测试图形包含的图形单元的类型，确定光学模块组，然后根据光学模块组，获取物理光学模型的参数。计算光学模块组在光刻胶上的理想光强分布，并根据理想光强分布以及光学模块组在所述光刻胶上激发的光化学反应，获取光化学模型的参数。接着模拟测试图形在所述光刻胶上形成的边界位置，并获取所述测试图形的关键尺寸仿真数据，若关键尺寸测量数据与关键尺寸仿真数据之间的拟合误差不大于预设的容许误差，则建立计算光刻模型。本申请公开的计算光刻建模方法，通过建立不同的光学模块对不同的图形单元进行仿真，有效提高了计算光刻模型的精度。

主权项

1.一种计算光刻建模方法，其特征在于，所述方法包括：获取测试图形包含的图形单元的类型，其中，所述测试图形是指用于测试的掩模版图形；根据所述图形单元的类型，确定光学模块组，其中，所述光学模块组由多个光学模块组成；根据所述光学模块组，获取物理光学模型的参数；根据所述光学模块组以及所述测试图形，计算所述光学模块组在光刻胶上的理想光强分布，所述理想光强分布包括每一个所述光学模块在所述光刻胶上的理想光强分布；根据所述理想光强分布以及所述光学模块组在所述光刻胶上激发的光化学反应，获取光化学模型的参数；获取所述光刻胶发生光化学反应的阈值条件，并根据所述阈值条件以及所述理想光强分布，模拟所述测试图形在所述光刻胶上形成的边界位置；获取所述测试图形的关键尺寸测量数据，以及根据所述边界位置，获取所述测试图形的关键尺寸仿真数据；若所述关键尺寸测量数据与所述关键尺寸仿真数据之间的拟合误差不大于预设的容许误差，则根据所述物理光学模型的参数以及所述光化学模型的参数，建立计算光刻模型，所述计算光刻模型包括物理光学模型以及光化学模型。