[发明专利]一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体及其制备方法在审
申请号: | 201910386492.5 | 申请日: | 2019-05-09 |
公开(公告)号: | CN110156473A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 刘守法;豆素勤;吴松林;马世臣;王新元 | 申请(专利权)人: | 西京学院 |
主分类号: | C04B35/58 | 分类号: | C04B35/58;C04B41/85;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/66;H01M10/052 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 马超前 |
地址: | 710100 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体及其制备方法,该方法包含:(1)将粒径为70~80nm的SiO2介孔纳米球在500~570℃保温去除杂质,将三聚氰胺混合进该SiO2介孔纳米球中,在空气氛围下于500~570℃保温,采用KOH溶液去除SiO2,得到中空C3N4纳米陶瓷球体;(2)将所述中空C3N4纳米陶瓷球体与S混合,于150~180℃保温,获得S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体。本发明的S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体用于电极提高了电池的比容量,同时具有较好的循环稳定性。 | ||
搜索关键词: | 纳米陶瓷 球体 中空 包覆的 保温 介孔纳米球 去除 制备 循环稳定性 空气氛围 三聚氰胺 电极 比容量 粒径 电池 | ||
【主权项】:
1.一种S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体的制备方法,其特征在于,该方法包含:(1)将粒径为70~80nm的SiO2介孔纳米球在500~570℃保温去除杂质,将三聚氰胺混合进该SiO2介孔纳米球中,在空气氛围下于500~570℃保温,采用KOH溶液去除SiO2,得到中空C3N4纳米陶瓷球体;(2)将所述中空C3N4纳米陶瓷球体与S混合,于150~180℃保温,获得S包覆的中空C3N4纳米陶瓷球体。
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