[发明专利]一种高线性低谐波的射频开关电路结构在审
| 申请号： | 201910386512.9 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110113036A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 张志浩;章国豪;钟立平;黄国宏;唐浩 | 申请（专利权）人： | 河源广工大协同创新研究院 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 何志铿 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种高线性低谐波的射频开关电路结构，将N个场效应晶体管层叠串联，在每个场效应晶体管的体区(B)和漏区(D)之间接出一个线性电容CS，并在体区(B)和源区(S)之间接一个相同的线性电容CS。本发明提出的高线性低谐波的射频开关电路结构，其能够在尽量不增加版图面积，保证插入损耗和隔离度良好的情况下，有效提升功率处理能力和线性度，减少谐波失真。 | ||
| 搜索关键词： | 射频开关电路 低谐波 高线性 场效应晶体管 线性电容 体区 功率处理能力 插入损耗 谐波失真 隔离度 线性度 漏区 源区 串联 保证 | ||
【主权项】：
1.一种高线性低谐波的射频开关电路结构，其特征在于：将N个场效应晶体管层叠串联，在每个场效应晶体管的体区(B)和漏区(D)之间接出一个线性电容CS，并在体区(B)和源区(S)之间接一个相同的线性电容CS。
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