[发明专利]一种用于减少锂电铜箔表面指甲印的电解液在审
| 申请号： | 201910386852.1 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110042440A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 江泱;范远朋;杨帅国 | 申请（专利权）人： | 九江德福科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D1/04 | 分类号： | C25D1/04;C25D3/38 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 刘艳艳 |
| 地址： | 332001 江西省九*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于减少锂电铜箔表面指甲印的电解液，包括主电解液和添加剂，所述主电解液包含硫酸铜、硫酸、氯离子，所述添加剂包含A剂、B剂、C剂、D剂，所述A剂为含硫杂环化合物，所述B剂为含氮合成高分子化合物，所述C剂为嵌段聚醚类化合物，所述D剂为聚硅氧烷或改性聚硅氧烷类化合物与聚乙二醇的混合物，所述电解液中铜离子、硫酸、氯离子、A剂、B剂、C剂、D剂的浓度分别为60‑100g/L、80‑140g/L、30‑50mg/L、5‑60mg/L、5‑70mg/L、10‑100mg/L、2‑10mg/L。本发明的用于减少锂电铜箔表面指甲印的电解液可以在有效控制晶粒生长，减少铜箔缺陷，获得高抗拉、高延伸率铜箔的同时，有效地减少铜箔表面的指甲印。 | ||
| 搜索关键词： | 电解液 铜箔表面 指甲 锂电 氯离子 铜箔 硫酸 添加剂 含硫杂环化合物 改性聚硅氧烷 高分子化合物 嵌段聚醚类 有效地减少 高延伸率 晶粒生长 聚硅氧烷 聚乙二醇 类化合物 有效控制 混合物 硫酸铜 铜离子 高抗 合成 | ||
【主权项】：
1.一种用于减少锂电铜箔表面指甲印的电解液，包括主电解液和添加剂，所述主电解液包含硫酸铜、硫酸、氯离子，其特征在于，所述添加剂包含A剂、B剂、C剂、D剂，所述A剂为含硫杂环化合物，所述B剂为含氮合成高分子化合物，所述C剂为嵌段聚醚类化合物，所述D剂为聚硅氧烷或改性聚硅氧烷类化合物与聚乙二醇的混合物，所述电解液中铜离子、硫酸、氯离子、A剂、B剂、C剂、D剂的浓度分别为60‑100g/L、80‑140g/L、30‑50mg/L、5‑60mg/L、5‑70mg/L、10‑100mg/L、2‑10mg/L。
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