[发明专利]氧化物的原子层蚀刻的方法在审

申请号：	201910388280.0	申请日：	2019-05-10
公开（公告）号：	CN110473770A	公开（公告）日：	2019-11-19
发明（设计）人：	索南·谢尔帕;阿洛科·兰詹	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/311
代理公司：	11227 北京集佳知识产权代理有限公司	代理人：	蔡胜有;苏虹<国际申请>=<国际公布>=
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	在一个示例性实施方案中，本文中描述了一种用于蚀刻氧化物的ALE处理。在一个实施方案中，氧化物是硅氧化物。ALE改性步骤包括基于四氟化碳(CF₄)的等离子体的使用。该改性步骤优先从硅氧化物的表面去除氧，从而提供富硅表面。ALE去除步骤包括基于氢(H₂)的等离子体的使用。该去除步骤去除在改性步骤中形成的富硅单层。利用CF₄和H₂步骤的硅氧化物蚀刻ALE处理可以用于广泛范围的基底处理步骤。例如，ALE处理可以用于但不限于自对准接触蚀刻步骤、硅鳍片露出步骤、氧化物芯模抽除步骤、氧化物间隔物修整以及氧化物衬料蚀刻。
搜索关键词：	蚀刻硅氧化物改性去除等离子体富硅氧化物间隔物蚀刻氧化物氧化物衬料自对准接触表面去除基底处理四氟化碳氧化物芯硅鳍片氧化物单层修整
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【主权项】：

1.一种用于蚀刻基底的方法，包括：/n提供包括硅氧化物的第一层，所述第一层相对于第二层可被选择性蚀刻；/n将所述第一层暴露于包括四氟化碳(CF₄)的第一等离子体以对所述第一层的至少表面进行改性以形成经改性的表面层，与所述第一层的剩余部分相比，所述经改性的表面层富含硅；以及/n将所述经改性的表面层暴露于包括氢(H₂)的第二等离子体，所述包括H₂的等离子体去除所述经改性的表面层的至少一部分，/n其中，所述第一等离子体和所述第二等离子体的组合使用减小了所述第一层的厚度的至少一部分。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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