[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910388321.6 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110098110B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 黄海涛;张永熙;陈伟 | 申请（专利权）人： | 上海瞻芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其形成方法，所述方法包括：在碳化硅外延层形成第一介质层；通过第一介质层对碳化硅外延层进行第一剂量及第一能量的第一离子注入，形成半导体器件的结型场效应晶体管JFET注入区域；通过第一介质层及JFET注入区域形成半导体器件的体区域及源区域；在第一介质层上依次形成第二介质层及光刻胶层；对光刻胶层及第二介质层进行光刻处理，形成P型延伸PET注入区域；通过PET注入区域进行第二剂量及第二能量的第二离子注入，形成半导体器件的PET区域；利用JFET注入区域、体区域、源区域及PET区域形成半导体器件。本公开可以减少形成半导体器件的工艺流程，节约制造半导体器件的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：在碳化硅外延层形成第一介质层；通过所述第一介质层对碳化硅外延层进行第一剂量及第一能量的第一离子注入，形成半导体器件的结型场效应晶体管JFET注入区域；通过所述第一介质层及所述JFET注入区域形成半导体器件的体区域及源区域；在所述第一介质层上依次形成第二介质层及光刻胶层；对所述光刻胶层及所述第二介质层进行光刻处理，形成P型延伸PET注入区域；通过所述PET注入区域进行第二剂量及第二能量的第二离子注入，形成半导体器件的PET区域，其中，所述第二剂量与所述第一剂量的大小正相关，所述第二能量与所述第一能量的大小正相关；利用所述JFET注入区域、体区域、源区域及PET区域形成所述半导体器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海瞻芯电子科技有限公司，未经上海瞻芯电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910388321.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：金属栅极及其制造方法
- 下一篇：一种晶体硅太阳能电池发射极的三步低压扩散方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
