[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910389424.4 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN111293103A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 廖俊诚 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置。该半导体装置包括一半导体基底、一导电贯通电极、一绝缘膜、一凸块以及一连接层，其中该连接层包括一可图案化材料，而可该图案化材料包含有多个导电粒子。该可图案化材料包括感光材料。该感光材料为光刻胶或聚亚酰胺。该导电粒子包括铜、镍、金、或银。该连接层可由下列方式予以形成：旋转涂布、化学气相沉积工艺、或是物理气相沉积工艺。该导电贯通电极贯穿该半导体基底。该绝缘膜围绕该导电贯通电极且使该导电贯通电极与该半导体基底电性地绝缘。该凸块设置在该导电贯通电极上。该连接层是设置在该凸块上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910389424.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：语音增强方法及装置
- 下一篇：小区搜索方法、用户终端及计算机可读存储介质
