[发明专利]基于共沉积外延生长调控蓝磷表面缺陷种类的方法在审
| 申请号： | 201910389788.2 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110255525A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 司楠;周德春;蒋艺璇;宋秀峰;牛天超 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C01B32/05 | 分类号： | C01B32/05;C01B25/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 凤婷 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于共沉积外延生长调控蓝磷表面缺陷种类的方法，包括如下步骤：首先对Au衬底进行氩离子刻蚀以及退火处理，去除表面的杂质，得到洁净的Au衬底；然后以黑磷为前驱体，在洁净的Au衬底上分子束外延沉积磷原子，并同时沉积C60分子，得到P+C60/Au；最后对P+C60/Au进行逐步升温退火，得到具有明显缺陷的单层蓝磷表面。本发明制得的蓝磷表面具有合适数量的明显缺陷，缺陷密度高、分散性好、分布均匀，使蓝磷表面具有更多的活性位点，且制备过程简单，无有害物质产生，易于制备，生产效率高，适合大规模制备。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 表面缺陷 明显缺陷 外延生长 共沉积 沉积 制备 洁净 退火 分子束外延 无有害物质 分散性好 活性位点 生产效率 退火处理 制备过程 逐步升温 磷原子 前驱体 氩离子 调控 单层 黑磷 刻蚀 去除 | ||
【主权项】：
1.基于共沉积外延生长调控蓝磷表面缺陷种类的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：对Au衬底进行氩离子刻蚀以及退火处理，去除表面的杂质，得到洁净的Au衬底；步骤2：以黑磷为前驱体，在洁净的Au衬底上分子束外延沉积磷原子，并同时沉积C60分子，得到P+C60/Au；步骤3：对P+C60/Au进行逐步升温退火，得到具有明显缺陷的单层蓝磷表面。
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