[发明专利]一种单晶硒化锡热电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910389990.5 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110172735B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 斯剑霄;陈子洁;申彤;李康银 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 董德 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硒化锡热电薄膜及其制备方法，属于热电材料领域。本单晶硒化锡热电薄膜制备方法，包括以下步骤：取衬底，置于清洗液中超声清洗10min，清洗后在60‑150℃下烘干2h，取出自然冷却；将处理后的衬底放入到旋涂机上，对衬底表面滴加分散液，旋甩10‑60s，旋甩后将衬底取出，在200℃下烘干5‑10min，得到缓冲层衬底；取硒化锡溅射靶材和制得的缓冲层衬底放入高真空多功能磁控溅射镀膜仪，抽真空，对缓冲层衬底加热，通入惰性气体，进行溅射20‑60min得到单晶硒化锡热电薄膜。本发明制备方法的有益效果是制备过程简单，制得的单晶硒化锡热电薄膜单晶性好，功率因子高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硒化锡 热电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硒化锡热电薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、取衬底，置于清洗液中超声清洗10min，清洗后在60‑150℃下烘干2h，取出自然冷却；S2、将步骤S1中处理后的衬底放入到旋涂机上，对衬底表面滴加0.3‑1mL分散液，以0‑4000r/min转速旋甩10‑60s，旋甩后将衬底取出，在200℃下烘干5‑10min，得到缓冲层衬底；S3、取硒化锡溅射靶材放入高真空多功能磁控溅射镀膜仪沉积腔的靶台上，再将步骤S2制得的缓冲层衬底放入高真空多功能磁控溅射镀膜仪沉积腔的样品台上，抽真空，对缓冲层衬底加热，通入惰性气体，进行溅射20‑60min，得到单晶硒化锡热电薄膜。
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