[发明专利]一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201910391486.9 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110137804B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘恒;王俊;谭少阳;荣宇峰;曾冠澐 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/227 | 分类号： | H01S5/227;H01S5/183 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215163 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其包括如下步骤：S1、在VCSEL外延片上通过介质薄膜形成刻蚀图案；S2、将VCSEL外延片连同其上的介质薄膜送入刻蚀腔中；S3、向刻蚀腔中通入包含SiCl |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 vcsel 侧壁 形貌 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括如下步骤：S1、在VCSEL外延片上通过介质薄膜形成刻蚀图案；S2、将VCSEL外延片连同其上的介质薄膜送入刻蚀腔中；S3、向刻蚀腔中通入包含SiCl4和Ar的刻蚀气体，对VCSEL外延片上未被介质薄膜覆盖的部分进行刻蚀；S4、通入包含SiCl4和Ar的刻蚀气体的同时，向刻蚀腔中通入He，在刻蚀形成的VCSEL台面侧壁上形成非晶硅保护层。
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