[发明专利]一种富含α横晶的聚丙烯膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910391533.X 申请日: 2019-05-10
公开(公告)号: CN110157023B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 郭少云;李姜;梁桂学;吴宏;沈嘉斌;熊英;陈蓉;张先龙;李春海;郑宇 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C08J7/00 分类号: C08J7/00;C08L23/12
代理公司: 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 代理人: 李高峡;张娟
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种富含α横晶的聚丙烯膜,所述富含α横晶的聚丙烯膜是将聚丙烯薄膜的表面与表面分散有α成核剂的层状基板的表面直接接触,然后使聚丙烯薄膜熔融,结晶后得到的。本发明富含α横晶的聚丙烯膜中,α横晶的含量接近100%,α横晶是连续有序的,且是沿垂直于膜面的方向朝内部生长的,并且该聚丙烯膜中不含成核剂。本发明还提供了制备上述富含α横晶的聚丙烯膜的方法,该方法操作简单、控制方便、生产效率高,具有广阔的前景。
搜索关键词: 一种 富含 聚丙烯 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种富含α横晶的聚丙烯膜,其特征在于:所述富含α横晶的聚丙烯膜是将聚丙烯薄膜的表面与表面分散有α成核剂的层状基板的表面直接接触,然后使聚丙烯薄膜熔融,结晶后得到的。
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