[发明专利]一种双结叠层太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 201910392637.2 | 申请日: | 2019-05-13 |
公开(公告)号: | CN110071193A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 李辉;罗海天;屈飞;古宏伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01L31/0687 | 分类号: | H01L31/0687;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 程华 |
地址: | 100190 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种双结叠层太阳电池及其制备方法。本发明采用宽带隙的CBTS薄膜太阳电池作为顶电池,窄带隙的CIGS薄膜太阳电池作为底电池,以金属电极以及CIGS薄膜太阳电池中的CIGS钼层作为双节叠层的两端,形成双结叠层太阳电池。本发明所提供的双结叠层太阳电池制备方法工艺简单,制备的双结叠层太阳电池能突破单结SQ理论效率限制,实现宽光谱吸收优势。 | ||
搜索关键词: | 叠层太阳电池 双结 制备 薄膜太阳电池 制备方法工艺 金属电极 理论效率 底电池 顶电池 宽带隙 宽光谱 窄带隙 单结 叠层 双节 钼层 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种双结叠层太阳电池,其特征在于,包括:玻璃衬体、铜铟镓硒CIGS薄膜太阳电池、第一减反层、铜钡锡硫CBTS薄膜太阳电池、金属电极以及第二减反层;所述CIGS薄膜太阳电池为底电池,所述玻璃衬体设于所述所述CIGS薄膜太阳电池的底部,所述CIGS薄膜太阳电池包括CIGS钼层、CIGS吸收层、CIGS缓冲层、CIGS高阻层以及CIGS透明导电玻璃层;所述CIGS钼层、所述CIGS吸收层、所述CIGS缓冲层、所述CIGS高阻层以及所述CIGS透明导电玻璃层从下至上依次层叠设置;所述第一减反层设于所述CIGS薄膜太阳电池以及所述CBTS薄膜太阳电池之间;所述CBTS薄膜太阳电池为顶电池,所述CBTS薄膜太阳电池包括CBTS吸收层、CBTS缓冲层、CBTS高阻层以及CBTS透明导电玻璃层;所述CBTS吸收层、所述CBTS缓冲层、所述CBTS高阻层以及所述CBTS透明导电玻璃层从下至上依次层叠设置;所述金属电极设于所述CBTS透明导电玻璃层以及所述第二减反层之间,形成双结叠层太阳电池。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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