[发明专利]一种实现多晶硅印刷工序异常片品质合格的工艺在审
| 申请号： | 201910393408.2 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110098107A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 何一峰;陆波;邱小永;周海权;吕文辉;牛嘉军 | 申请（专利权）人： | 浙江贝盛光伏股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67;H01L31/20 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 裴金华 |
| 地址： | 313000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的提供一种用于恢复多晶硅印刷工序异常片品质的工艺，包括以下步骤：待清洗的异常片经HCl、H2O2混合液清洗；预烧结，温度为80‑200℃；烧结，温度为485‑695℃，与现有技术相比，本发明将异常片做单独处理，调整清洗工艺，将电池片表面所已印刷的浆料及其他脏污去除彻底，由于在处理异常片数会磨损表面PN结，若用原烧结工艺，则会造成局部PN被烧穿等现象，因此结合新型烧结工艺，降低烧结各区的温度，得到的异常片子的效率与正常片接近，外观、效率达到A品标准，提高了异常片品质。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结工艺 烧结 多晶硅 印刷 清洗 电池片表面 单独处理 磨损表面 清洗工艺 混合液 预烧结 片数 烧穿 脏污 去除 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种实现多晶硅印刷工序异常片品质合格的工艺，其特征在于，包括以下步骤：待清洗的异常片经HCl、H2O2混合液清洗；预烧结，温度为80‑200℃；烧结，温度为700‑770℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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