[发明专利]一种太阳能单晶多晶坩埚内表面Si3

摘要

本发明属于硅锭铸造技术领域，特别是涉及一种太阳能单晶多晶坩埚内表面Si3N4釉面处理工艺。采用碳质物作为还原剂，将坩埚内表面的SiO2还原为Si，然后采用N2作为氧化剂使N2与Si生成致密的Si3N4陶瓷釉面层。通过采用原位生长技术，利用氮置换掉氧，从而使坩埚内表面的氧化硅转换成氮化硅陶瓷釉面，从而使氮化硅陶瓷釉面更加不易在高温下从石英坩埚上脱落，从而使硅锭粘锅率大大降低，SiO2和O2也不会参杂到硅锭中，从而显著提高硅锭的出品率。

主权项

1.一种太阳能单晶多晶坩埚内表面Si₃N₄釉面处理工艺，其特征在于：采用碳质物作为还原剂，将坩埚内表面的SiO₂还原为Si，然后采用N₂作为氧化剂使N₂与Si生成致密的Si₃N₄陶瓷釉面层。