[发明专利]一种新型高效电池背钝化工艺在审
| 申请号： | 201910394718.6 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110061101A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 杨飞飞;赵科巍;郭卫;申开愉 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶PERC电池钝化领域。一种新型高效电池背钝化工艺，整个工艺流程为清洗制绒、低压扩散、湿法刻蚀、双面氧化、背面氧化铝、正面镀膜、背面镀膜、激光开槽、丝网印刷；背面氧化铝是指利用氧化炉在700‑800℃下，通氧气的氛围下，在电池的上下表面各沉积一层2‑3nm的二氧化硅层；背面氧化铝是指利用PECVD的方式，在下表面二氧化硅的基础上沉积一层15‑20nm的氧化铝层；正面镀膜和背面镀膜是指利用PECVD的方式在450‑480℃下，通硅烷、氨气，在下表面氧化铝层和上表面二氧化硅层的基础上各沉积一层100‑120nm的氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 镀膜 氧化铝 沉积 二氧化硅层 钝化工艺 高效电池 电池 表面二氧化硅 氨气 表面氧化铝 氮化硅层 激光开槽 清洗制绒 上下表面 湿法刻蚀 双面氧化 丝网印刷 氧化铝层 工艺流程 上表面 氧化炉 单晶 钝化 硅烷 氧气 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种新型高效电池背钝化工艺，其特征在于：整个工艺流程为清洗制绒、低压扩散、湿法刻蚀、双面氧化、背面氧化铝、正面镀膜、背面镀膜、激光开槽、丝网印刷；背面氧化铝是指利用氧化炉在700‑800℃下，通氧气的氛围下，在电池的上下表面各沉积一层2‑3nm的二氧化硅层；背面氧化铝是指利用PECVD的方式，在下表面二氧化硅的基础上沉积一层15‑20nm的氧化铝层；正面镀膜和背面镀膜是指利用PECVD的方式在450‑480℃下，通硅烷、氨气，在下表面氧化铝层和上表面二氧化硅层的基础上各沉积一层100‑120nm的氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
