[发明专利]阵列基板的制作方法在审
| 申请号： | 201910396335.2 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110190065A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王建刚;蔡良毅 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提出了一种阵列基板的制作方法。所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底上形成第一膜层；在所述第一膜层上形成钝化层；在所述钝化层上形成第一金属层；在同一道蚀刻工艺中对所述第一膜层和所述第一金属层进行图案化处理，以形成有源层和源漏极金属。本申请通过采用同一道蚀刻工艺将有源层和源漏极金属进行图案化，简化了阵列基板的制作工艺，节约了产品的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 第一膜层 阵列基板 第一金属层 蚀刻工艺 钝化层 源漏极 基底 源层 制作 金属 图案化处理 制作工艺 图案化 申请 节约 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：S10、提供一基底；S20、在所述基底上形成第一膜层；S30、在所述第一膜层上形成钝化层；S40、在所述钝化层上形成第一金属层；S50、在同一道蚀刻工艺中对所述第一膜层和所述第一金属层进行图案化处理，以形成有源层和源漏极金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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