[发明专利]含电容背板构造在审
| 申请号： | 201910397566.5 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110164870A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 刘兆松 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种含电容背板构造，包括︰一基板；一第一导电膜设置在所述基板上；一第二导电件的一部分与所述第一导电膜间隔设置，另一部分连接所述第一导电膜；一第三导电膜分别与所述第一导电膜及所述所述第二导电件间隔设置；一第四导电件连接所述第三导电膜；及一第五导电件的一部分连接所述第四导电件，另一部分与所述第二导电件间隔设置；其中所述第三导电膜绝缘地设置在所述第一导电膜与所述第二导电件之间，所述第二导电件绝缘地设置在所述第三导电膜、所述第四导电件与所述第五导电件之间。 | ||
| 搜索关键词： | 导电件 导电膜 间隔设置 电容 背板 基板 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种含电容背板构造，其特征在于：包括：一基板；一第一导电膜，设置在所述基板上；一第二导电件，具有两个相互连接的部分，所述第二导电件的一部分与所述第一导电膜间隔设置，所述第二导电件的另一部分连接所述第一导电膜；一第三导电膜，分别与所述第一导电膜及所述所述第二导电件间隔设置；一第四导电件，连接所述第三导电膜；及一第五导电件，具有两个相互连接的部分，所述第五导电件的一部分连接所述第四导电件，所述第五导电件的另一部分与所述第二导电件间隔设置；其中所述第三导电膜绝缘地设置在所述第一导电膜与所述第二导电件之间，所述第二导电件绝缘地设置在所述第三导电膜、所述第四导电件与所述第五导电件之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
