[发明专利]用于处理宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片在审
| 申请号： | 201910397969.X | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110491778A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | F.J.桑托斯罗德里格斯;G.德尼夫尔;T.F.W.赫希鲍尔;M.胡贝尔;W.莱纳特;R.鲁普;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/02;H01L21/20;H01L21/78 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周学斌;申屠伟进<国际申请>=<国际公布 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出了一种用于处理宽带隙半导体晶片的方法（100）。该方法（100）包括在宽带隙半导体晶片的背侧处沉积（110）非单晶支撑层（320）。该方法（100）进一步包括在宽带隙半导体晶片的前侧处沉积（120）外延层。沿着拆分区域拆分（130）宽带隙半导体晶片，以获得包括至少一部分外延层的器件晶片，和包括非单晶支撑层（320）的剩余晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带隙半导体 晶片 非单晶 外延层 支撑层 沉积 器件晶片 剩余晶片 分区域 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理宽带隙半导体晶片的方法（100），所述方法（100）包括：/n在宽带隙半导体晶片的背侧处沉积（110）非单晶支撑层（320）；/n在所述宽带隙半导体晶片的前侧处沉积（120）外延层；以及/n沿着拆分区域拆分（130）所述宽带隙半导体晶片，以获得包括至少一部分外延层的器件晶片，和包括所述非单晶支撑层（320）的剩余晶片。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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