[发明专利]一种醇蒸汽后退火处理硫化锑基薄膜的太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201910398353.4 | 申请日: | 2019-05-14 |
公开(公告)号: | CN110137272B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 李炫华;韩剑;王双洁 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学深圳研究院;西北工业大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明涉及一种醇蒸汽后退火处理硫化锑基薄膜的太阳能电池的制备方法,对于硫化锑光吸收层,采用醇蒸汽后退火处理:将锑的前驱体溶液旋涂在TiO |
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搜索关键词: | 一种 蒸汽 退火 处理 硫化锑 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种醇蒸汽后退火处理硫化锑基薄膜的太阳能电池的制备方法,其特征在于步骤如下:步骤1、FTO玻璃的处理:对FTO玻璃进行常规预处理;步骤2、电子传输层的制备:采用TiO2作为电子传输材料,在FTO玻璃上制备电子传输层;步骤3、硫化锑光吸收层的醇蒸汽后退火处理:将锑的前驱体溶液旋涂在TiO2电子传输层上,制备硫化锑薄膜后,采用“醇蒸汽后退火处理方法”对硫化锑薄膜进行后退火处理:将旋涂锑的前驱体溶液的基底置于小坩埚的加热台上,将10‑200μl的异丙醇、乙醇和甲醇分别滴入坩埚中,同时迅速用培养皿盖住,100‑400℃退火处理1‑5min,对硫化锑薄膜进行无溶剂退火处理,即得到硫化锑吸光层;步骤4、空穴传输层的制备:将Spiro‑OMeTAD溶液在硫化锑薄膜上Spiro‑OMeTAD层;步骤5、电极蒸镀:采用热蒸镀仪,在空穴传输层上蒸镀一层100‑120nm厚的Au背电极,即得到硫化锑基薄膜太阳能电池。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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