[发明专利]一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备在审
申请号: | 201910399296.1 | 申请日: | 2019-05-14 |
公开(公告)号: | CN110197801A | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 赵德文;李长坤;路新春 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 张建纲 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域,公开了一种基板处理液的存储装置和基板后处理设备。基板后处理设备包括基板清洗模块和基板干燥模块,基板干燥模块包括存储装置。存储装置包括存储主体、第一管路、第二管路和第三管路,存储主体具有分别与管路气密连接的第一连接口、第二连接口和第三连接口;第一管路用于向存储主体内通入气体以增加存储主体内的压力;第二管路气密连接于压力检测部;第三管路气密连接于处理液供给管和排出管,供给管和排出管分别设置有独立的开关组件,使得可以通过第三管路向存储主体内加入处理液或从存储主体排出处理液。 | ||
搜索关键词: | 存储主体 基板 存储装置 后处理设备 气密连接 连接口 基板处理液 干燥模块 处理液 排出管 处理液供给管 化学机械抛光 压力检测部 基板清洗 开关组件 后处理 供给管 排出 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理液的存储装置,包括存储主体、第一管路、第二管路和第三管路,所述存储主体具有分别与所述管路气密连接的第一连接口、第二连接口和第三连接口;所述第一管路用于向所述存储主体内通入气体以增加所述存储主体内的压力;所述第二管路气密连接于压力检测部;所述第三管路气密连接于处理液供给管和排出管,所述供给管和排出管分别设置有独立的开关组件,使得可以通过所述第三管路向所述存储主体内加入处理液或从所述存储主体排出处理液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造