[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制备方法在审
| 申请号： | 201910399400.7 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111952350A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 董学;袁广才;关峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制备方法，包括在衬底基板上形成栅电极的图形、有源层的图形、源电极和漏电极的图形。在形成有源层的图形之前还形成导向结构和催化剂颗粒，利用催化剂颗粒与硅具有较低的共熔点、以非晶硅的吉布斯自由能大于结晶硅的吉布斯自由能为驱动力、通过熔融的催化剂颗粒吸收非晶硅形成过饱和硅共熔体，使硅成核生长成为硅基纳米线。并且在生长过程中，非晶硅薄膜在催化剂颗粒的作用下沿着导向结构线性生长，从而获得高密度、高均一性的硅基纳米线。另外，通过对催化剂颗粒的尺寸以及非晶硅薄膜的厚度进行控制还可以实现对硅基纳米线的宽度进行控制。从而实现尺度均一可控的硅基纳米线薄膜晶体管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 相关 制备 方法 | ||
【主权项】：
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