[发明专利]一种隔离槽的制造方法及其应用有效
| 申请号： | 201910400487.5 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110112264B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 吕振兴;李鑫鑫;刘亚柱;王晓燕;齐胜利 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 代玲 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种隔离槽的制造方法及其应用，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；通过多次曝光形成图案化光阻层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成隔离槽；所述隔离槽暴露所述衬底；其中，进行多次曝光时，第二次曝光时光罩与光阻层之间的距离大于第一次曝光时光罩与光阻层之间的距离。本发明提出的隔离槽的制造方法能够提供高压发光二极管芯片的产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 制造 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种隔离槽的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上，所述衬底包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；通过多次曝光形成图案化光阻层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成隔离槽；其中，进行多次曝光时，第一次曝光完成后进行第二次曝光，所述第二次曝光时光罩与光阻层之间的距离大于所述第一次曝光时光罩与光阻层之间的距离。
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