[发明专利]一种用于切割晶片的刀具及切割方法有效
| 申请号： | 201910400682.8 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110091442B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 宋闯;黄高;田茂 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/78;B28D5/02;B28D7/00 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 李镝的 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于切割晶片的刀具，包括：第一刀片，其具有由具有第一尺寸的颗粒物制成的表面；第二刀片，其布置在第一刀片的第一侧，使得第二刀片至少部分地覆盖第一刀片的第一侧，其中所述第二刀片具有由具有第二尺寸的颗粒物制成的表面并且其中第二尺寸小于第一尺寸；以及第三刀片，其布置在第一刀片的第二侧，使得第三刀片至少部分地覆盖第一刀片的第二侧，其中所述第三刀片具有由具有第三尺寸的颗粒物制成的表面，并且其中第三尺寸小于第一尺寸。通过本发明，可以有效地避免应力损伤半导体器件或其所在衬底，从而提高芯片的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 切割 晶片 刀具 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于切割晶片的刀具，包括：第一刀片，其具有由具有第一尺寸的颗粒物制成的表面；第二刀片，其布置在第一刀片的第一侧，使得第二刀片至少部分地覆盖第一刀片的第一侧，其中所述第二刀片具有由具有第二尺寸的颗粒物制成的表面并且其中第二尺寸小于第一尺寸；以及第三刀片，其布置在第一刀片的第二侧，使得第三刀片至少部分地覆盖第一刀片的第二侧，其中所述第三刀片具有由具有第三尺寸的颗粒物制成的表面，并且其中第三尺寸小于第一尺寸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910400682.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：升降式半导体晶圆解理装置
- 下一篇：一种隔水加热型挤压成型剂加工装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
