[发明专利]光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法在审
| 申请号： | 201910400738.X | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110286568A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 柯顺魁 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/38 | 分类号： | G03F7/38 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，包括步骤：步骤一、建立光刻工艺，确定光刻工艺条件。步骤二、采集原始版图数据。步骤三、采用光刻工艺中的曝光后烘烤的上限温度和下限温度范围内，逐渐改变曝光后烘烤的温度并得到和对应的光刻图形，根据光刻图形对原始版图进行OPC修正得到对应OPC修正结果；步骤四、对各OPC修正结果进行比较选取最佳的OPC修正结果，以最佳的OPC修正结果对应的曝光后烘烤的温度为理论最佳温度并进而确定最佳温度。本发明能实现光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取，在选取的最佳温度下能使整个版图范围内的光刻工艺效果达到最佳。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻工艺 烘烤 曝光 光刻图形 原始版图 光刻工艺条件 采集 | ||
【主权项】：
1.一种光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、建立光刻工艺，确定光刻工艺条件；步骤二、采集原始版图数据；步骤三、在光刻工艺中的曝光后烘烤的上限温度和下限温度范围内，逐渐改变所述曝光后烘烤的温度并得到和每一个所述曝光后烘烤的温度相对应的光刻图形，根据对应的所述光刻图形对所述原始版图进行OPC修正得到对应OPC修正结果；步骤四、对各所述OPC修正结果进行比较，选取最佳的所述OPC修正结果，之后再以所选取的最佳的所述OPC修正结果对应的所述曝光后烘烤的温度为所述曝光后烘烤的理论最佳温度，由所述理论最佳温度确定所述曝光后烘烤的最佳温度。
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