[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

本公开的实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。首先，包括绝缘膜的堆叠膜的偏移间隔物形成在半导体层的上表面、栅电极的侧表面和盖膜的侧表面上。接下来，绝缘膜的部分被去除以暴露半导体层的上表面。接下来，在栅电极的侧表面被绝缘膜覆盖的状态下，外延层形成在半导体层的暴露的上表面上。此时，在偏移间隔物当中，作为氮化硅膜的绝缘膜形成在最接近栅电极的位置，并且绝缘膜的上端形成在栅电极的侧表面上的位置比栅电极的上表面的位置高。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：/n(a)在第一半导体层上形成栅电极和盖膜，所述栅电极具有第二半导体层，并且所述盖膜形成在所述栅电极上；/n(b)在所述第一半导体层的上表面、所述栅电极的侧表面和所述盖膜的侧表面中的每个表面上都形成由层压膜组成的偏移间隔物，所述层压膜由包括第一氮化硅膜和第一氧化硅膜的三个或更多个层组成；/n(c)通过去除所述偏移间隔物的部分来暴露所述第一半导体层的所述上表面；以及/n(d)在所述步骤(c)之后，在所述栅电极的上表面被所述盖膜覆盖并且所述栅电极的所述侧表面被所述偏移间隔物覆盖的状态下，通过外延生长方法在所述第一半导体层的从所述偏移间隔物暴露的所述上表面上形成第三半导体层，/n其中在所述层压膜中最接近于所述栅电极的所述层压膜的膜是所述第一氮化硅膜，以及/n其中在所述步骤(d)中，所述第一氮化硅膜的上端形成在所述栅电极的所述侧表面上的位置比所述栅电极的所述上表面的位置高。/n