[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910401649.7 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110504353A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 飞冈孝明 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;G01D5/14;G01R33/07 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;闫小龙<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。霍尔元件具备：磁感受部（20），由在第一导电型的半导体基板（10）设置的第二导电型的杂质扩散层构成，在俯视下具有四个端部；以及四个电极（31）~（34），在磁感受部的表面由在四个端部的各个设置的比磁感受部高浓度的第二导电型的杂质扩散层构成，作为磁感受部的杂质扩散层离半导体基板的表面具有第一深度（D1），具有第二导电型的杂质浓度从半导体基板的表面起到比第一深度浅的第二深度（D2）为止朝向深度方向变高的第一浓度梯度（S1），具有第二导电型的杂质浓度从第二深度起到第一深度为止朝向深度方向变低的第二杂质梯度（S2），第二深度为第一深度的一半以下，第一浓度梯度比第二浓度梯度陡峭。 | ||
| 搜索关键词： | 导电型 半导体基板 杂质扩散层 浓度梯度 半导体装置 霍尔元件 电极 俯视 陡峭 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：/n第一导电型的半导体基板；以及/n霍尔元件，被设置于所述半导体基板，/n所述半导体装置的特征在于，/n所述霍尔元件具备：/n磁感受部，由在所述半导体基板设置的第二导电型的杂质扩散层构成，在俯视下具有四个端部；以及/n四个电极，在所述磁感受部的表面由在所述四个端部的各个设置的比所述磁感受部高浓度的第二导电型的杂质扩散层构成，/n作为所述磁感受部的杂质扩散层离所述半导体基板的表面具有第一深度，具有第二导电型的杂质浓度从所述半导体基板的表面起到比所述第一深度浅的第二深度为止朝向深度方向变高的第一浓度梯度，具有第二导电型的杂质浓度从所述第二深度起到所述第一深度为止朝向深度方向变低的第二杂质梯度，所述第二深度为所述第一深度的一半以下，所述第一浓度梯度比所述第二浓度梯度陡峭。/n
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