[发明专利]一种基于RSD的去磁开关高效脉冲功率发生电路有效
申请号: | 201910401663.7 | 申请日: | 2019-05-14 |
公开(公告)号: | CN110138360B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 梁琳;皮意成;颜小雪 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H03K3/02 | 分类号: | H03K3/02;H03K17/12 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 廖盈春;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开一种基于RSD的去磁开关高效脉冲功率发生电路,可以用于高功率微波、核物理技术、污染净化等领域。传统RSD脉冲功率发生电路需要使用磁开关来配合RSD的开通,但是磁开关的体积很大,这容易导致传统RSD脉冲功率发生电路的体积过大。同时,在触发RSD时,传统RSD脉冲功率发生电路需要消耗的能量也不可以被忽略。在不使用磁开关的情况下,本发明使用另一种半导体开关器件RBDT来辅助RSD,以防止触发RSD时流过的电流数值过大损坏RSD。由于RBDT体积非常小,本发明的体积可以显著的减小。为了减小脉冲功率发生电路的能量损耗,在触发RSD时,本发明利用电感储存触发RSD时电容释放的能量,最后,电感释放储存的能量用于形成负载电流脉冲。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 rsd 开关 高效 脉冲 功率 发生 电路 | ||
【主权项】:
1.一种基于RSD的去磁开关高效脉冲功率发生电路,其特征在于,包括:反向开关晶体管RSD、反向阻断双端固态晶闸管RBDT和外围电路;当需要触发所述反向开关晶体管RSD时,利用所述外围电路中的电容储能与电感储能的交替使所述反向开关晶体管RSD在没有磁开关的前提下正常触发开通;所述反向阻断双端固态晶闸管RBDT用于通过将电容中的部分能量转移到电感储能支路中,防止触发RSD时的反向电流过大。
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