[发明专利]隔离结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910401732.4 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110120365A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 田成俊;洪纪伦;吴宗祐;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种隔离结构及其形成方法，所述隔离结构的形成方法包括：在半导体衬底的第一表面上依次形成第一衬垫氧化层和第一硬掩膜层；刻蚀所述第一硬掩膜层和所述第一衬垫氧化层形成开口；通过所述开口进行第一离子注入，在所述半导体衬底中形成第一离子注入区；腐蚀所述第一离子注入区形成多孔硅层；氧化所述多孔硅层形成第一隔离部。所述方法优化了工艺流程，节约一道光罩，减少企业的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离结构 衬垫氧化层 离子注入区 多孔硅层 硬掩膜层 衬底 半导体 开口 第一表面 工艺流程 隔离部 光罩 刻蚀 生产成本 离子 腐蚀 节约 申请 优化 | ||
【主权项】：
1.一种隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底的第一表面上依次形成第一衬垫氧化层和第一硬掩膜层；刻蚀所述第一硬掩膜层和所述第一衬垫氧化层形成开口；通过所述开口进行第一离子注入，在所述半导体衬底中形成第一离子注入区；腐蚀所述第一离子注入区形成多孔硅层；氧化所述多孔硅层形成第一隔离部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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