[发明专利]一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法

摘要

本发明涉及一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，属于荧光聚集，荧光成像，光电探测领域。本发明的一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，通过将半导体纳米晶溶液与柔性基质充分混合进行3D打印技术成型，可以得到传统技术难以实现的柔性基质半导体纳米晶器件，并且可以得到传统技术难以实现的各向异性器件，可以定性定量地控制某一点或某一面的光电性能的强弱，大大提高了半导体纳米晶器件的性能，并且通过增材制造的方式可以大量节约原材料，使用少量的半导体纳米晶就可以保证器件性能，节约材料并且高效。

主权项

1.一种强度可控半导体纳米晶柔性光电器件的3D打印方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)半导体纳米晶的制备：半导体纳米晶包括液相反应制备的尺寸、形貌单分散的量子点、掺杂量子点和异质结构纳米晶；采用热注射法或低温阳离子交换法制备而成，并且能够通过调控表面配体使半导体纳米晶够分散到不同溶剂中；(2)3D打印浆料配制：将半导体纳米晶分散于有机溶剂或者无机溶剂中得到半导体纳米晶溶胶，将所述溶胶与具有流变性质的柔性基质均匀混合，得到3D打印浆料；(3)3D打印柔性基质半导体纳米晶器件：通过直写3D打印技术对所得到的浆料进行三维结构成型，形成半导体纳米晶器件半成品，根据不同的需求设计不同的路径角度，能够实现对特定点，特定面上性能的控制，构造各向异性器件；(4)柔性基质半导体纳米晶器件固化：对所述半导体纳米晶器件半成品进行烘干，以使其固化形成稳定的半导体纳米晶器件。