[发明专利]高温静电吸盘有效
| 申请号： | 201910401989.X | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110504205B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | A·A·哈贾;J·马;H·J·于;F·吴;J·李 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及高温静电吸盘，公开一种基板支撑件。所述基板支撑件具有介电主体，所述介电主体上形成有多个特征。壁架围绕所述多个特征的周边包围所述多个特征。所述特征在数量上从所述基板支撑件的中心区域朝向壁架增加。调配层任选地设置在所述介电主体上。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 静电 吸盘 | ||
【主权项】：
1.一种基板支撑件，包括：/n温度控制基部；/n介电主体，在所述介电主体上具有基板卡紧表面，所述基板卡紧表面部分地由壁架限定，所述壁架围绕所述介电主体的周边形成；/n电极，所述电极设置在所述介电主体内；和/n多个特征，所述多个特征形成在所述壁架的径向内侧，其中特征的数量从所述基板卡紧表面的中心到所述壁架径向地增加。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
