[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，首先提供衬底，衬底上依次形成有阻挡层以及第一堆叠层，第一堆叠层由绝缘层和牺牲层交替层叠而成，以阻挡层作为刻蚀停止层，对第一堆叠层进行刻蚀形成沟道孔，去除沟道孔底部的阻挡层，完成对沟道孔的刻蚀。在本申请实施例中，在对第一堆叠层进行刻蚀的过程中，阻挡层对衬底形成了保护作用，这样去除阻挡层之后，衬底未被损伤，从而减少后续工艺，提高器件性能。

主权项

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有阻挡层和第一堆叠层，所述第一堆叠层由绝缘层和牺牲层交替层叠而成；以所述阻挡层作为刻蚀停止层，对所述第一堆叠层进行刻蚀形成沟道孔；去除所述沟道孔底部的阻挡层。