[发明专利]一种衬底及外延片在审
| 申请号： | 201910403134.0 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110164959A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 李佳;芦伟立;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/167;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/36 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种衬底及外延片。所述衬底包括晶片，所述晶片中包含预设原子，所述预设原子的浓度为1e11‑1e18cm‑3，其中，所述预设原子为铁原子、碳原子或硅原子中的至少一种。本发明在导电晶片上注入的原子，形成的衬底不仅不影响衬底本身的导电类型和掺杂浓度，也不影响后续外延层的导电类型和掺杂浓度，且注入的原子在外延时能扩散到外延材料中，能够填补外延材料中的碳空位，减少深能级缺陷，提高少子寿命。本申请在半绝缘晶片上注入碳原子、铁原子或铁碳混合原子形成的衬底，在生长时，注入的原子会扩散到GaN缓冲层中，形成高阻GaN缓冲层，为生长高频大功率GaN外延材料提供保障和基础。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 预设 导电类型 外延材料 碳原子 铁原子 外延片 掺杂 半导体技术领域 半绝缘晶片 高频大功率 深能级缺陷 扩散 导电晶片 混合原子 少子寿命 硅原子 外延层 空位 生长 高阻 晶片 铁碳 填补 申请 | ||
【主权项】：
1.一种衬底，其特征在于，包括：晶片，所述晶片中包含预设原子，所述预设原子的浓度为1e11‑1e18cm‑3，其中，所述预设原子为铁原子、碳原子或硅原子中的至少一种。
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