[发明专利]一种基于单个分数阶电感的分数阶广义忆阻混沌电路在审

专利信息
申请号: 201910403349.2 申请日: 2019-05-15
公开(公告)号: CN110299985A 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 杨宁宁;程书灿;张铭予;贾嵘;吴朝俊;徐诚 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H04L9/00 分类号: H04L9/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 涂秀清
地址: 710048 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于单个分数阶电感的分数阶广义忆阻混沌电路,包括包括依次连接且形成闭合回路的分数阶电容Cq、分数阶电感Lq、负电阻G,所述分数阶电容Cq的两端并联有分数阶忆阻器Mq,所述分数阶忆阻器Mq的一端还与所述分数阶电感Lq连接,所述分数阶忆阻器Mq另一端还连接有所述负电阻G;该系统具有一个不稳定的鞍点和一对不稳定的鞍焦,表明该系统是一个具有固定参数的双涡卷混沌系统。而且与其他分数阶电路相比,该电路对分析分数阶混沌系统拓扑结构简单,动力学行为丰富,对于混沌系统的发展由很大的推动作用。
搜索关键词: 分数阶 电感 混沌系统 忆阻器 混沌电路 电容 负电阻 电路 动力学行为 闭合回路 固定参数 拓扑结构 依次连接 双涡卷 并联 鞍点 分析
【主权项】:
1.一种基于单个分数阶电感的分数阶广义忆阻混沌电路,其特征在于,包括依次连接且形成闭合回路的分数阶电容Cq、分数阶电感Lq、负电阻G,所述分数阶电容Cq的两端并联有分数阶忆阻器Mq,所述分数阶忆阻器Mq的一端还与所述分数阶电感Lq连接,所述分数阶忆阻器Mq另一端还连接有所述负电阻G。
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