[发明专利]一种自适应线性化射频偏置模块及其使用电路有效
申请号: | 201910403842.4 | 申请日: | 2019-05-15 |
公开(公告)号: | CN110176923B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 张志浩;章国豪;蓝焕青;黄国宏;唐浩 | 申请(专利权)人: | 河源广工大协同创新研究院 |
主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003;H03K19/12;H03F1/30;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24 |
代理公司: | 11427 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 何志铿 |
地址: | 517000 广东省河源市高*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种自适应线性化射频偏置模块,包括温度补偿模块和线性化偏置模块;所述温度补偿模块包括基射结二极管HBT4、基射结二极管HBT5、电阻R5和电阻R6;电阻R5的一端与电压源Vref连接,其另一端与基射结二极管HBT4的集电极连接,基射结二极管HBT4的发射极接地;所述线性化偏置模块包括基射结二极管HBT1和电容C1;基射结二极管HBT1的集电极与电压源Vcc连接,基射结二极管HBT1的基极与电容C1的一端连接,电容C1的另一端接地;基射结二极管HBT1的基极还连接于电阻R6与基射结二极管HBT5的集电极之间。基射结二极管HBT1的基‑射电压降也补偿了基射结二极管HBT0的基‑射电压,使之在输入大RFin信号时仍能保持足够的偏压从而增强线性度,通过基射结二极管HBT4的反馈实现自适应偏压。 | ||
搜索关键词: | 二极管 基射结 偏置模块 线性化 电阻 自适应 电容 温度补偿模块 电压源 集电极 射频 发射极接地 集电极连接 一端连接 接地 线性度 压降 电路 反馈 | ||
【主权项】:
1.一种自适应线性化射频偏置模块,其特征在于:包括温度补偿模块和线性化偏置模块;/n所述温度补偿模块包括基射结二极管HBT4、基射结二极管HBT5、电阻R5和电阻R6;/n电阻R5的一端与电压源Vref连接,其另一端与基射结二极管HBT4的集电极连接,基射结二极管HBT4的发射极接地;/n电阻R6的一端与电压源Vref连接,其另一端与基射结二极管HBT5的集电极连接,基射结二极管HBT5的发射极接地;/n基射结二极管HBT5的基极连接在电阻R5与基射结二极管HBT4的集电极之间;基射结二极管HBT4的基极与电压源Vref连接;/n所述线性化偏置模块包括基射结二极管HBT1和电容C1;基射结二极管HBT1的集电极与电压源Vcc连接,基射结二极管HBT1的基极与电容C1的一端连接,电容C1的另一端接地;/n基射结二极管HBT1的基极还连接于电阻R6与基射结二极管HBT5的集电极之间;基射结二极管HBT4的基极还与基射结二极管HBT1的发射极连接,且两者连接的线路上还串接有电阻R3。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河源广工大协同创新研究院,未经河源广工大协同创新研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910403842.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电容式触摸按键检测电路
- 下一篇:半导体器件