[发明专利]一种ILD层平坦化后的清洗方法在审
| 申请号： | 201910404529.2 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110277306A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 严磊 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种ILD层平坦化后的清洗方法，该方法至少包括：步骤一、提供一待制作接触孔的半导体器件结构；步骤二、在所述器件结构上形成ILD层；步骤三、对所述ILD层进行化学机械研磨；步骤四、用氢氟酸对研磨后的ILD层进行清洗，将ILD层表面带有缺陷的一部分进行剥离；步骤五、将ILD层进行APM清洗。本方法直接将传统工艺中的热硫酸溶液改为使用可剥离表面氧化硅的氢氟酸溶液，使得ILD层表面缺陷数量减少80％以上，可以更有效地清洁晶圆的表面，从而减小缺陷的数量，使得缺陷得到明显改善。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 平坦化 半导体器件结构 化学机械研磨 氢氟酸溶液 热硫酸溶液 表面缺陷 表面氧化 传统工艺 器件结构 数量减少 研磨 接触孔 可剥离 氢氟酸 有效地 减小 晶圆 剥离 清洁 制作 | ||
【主权项】：
1.一种ILD层平坦化后的清洗方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供一待制作接触孔的半导体器件结构；步骤二、在所述器件结构上形成ILD层；步骤三、对所述ILD层进行化学机械研磨；步骤四、用氢氟酸对研磨后的ILD层进行清洗，将ILD层表面带有缺陷的一部分进行剥离；步骤五、将ILD层进行APM清洗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910404529.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
