[发明专利]一种eGaN HEMT混合型驱动电路及控制方法

摘要

本发明公开了一种eGaN HEMT混合型驱动电路，包括驱动电压源U_dri、开通驱动电路和关断驱动电路。此外，本发明还公开了控制eGaN HEMT混合型驱动电路的方法。本发明能够抑制密勒平台期间驱动电流的振荡和尖峰，缓解EMI问题；本发明能够实现eGaN HEMT的高速开关；本发明能够降低驱动损耗。

主权项

1.一种eGaN HEMT混合型驱动电路，其特征在于：包括驱动电压源U_dri、开通驱动电路和关断驱动电路；开通驱动电路包括开通驱动PMOS管Q_{dri_on}，开通驱动PMOS管Q_{dri_on}的源极连接驱动电压源U_dri的正极，开通驱动PMOS管Q_{dri_on}的漏极连接开通驱动二极管D_on的阳极，开通驱动二极管D_on的阴极连接开通电感饱和控制电路的输入端，开通电感饱和控制电路的输出端连接eGaN HEMT的栅极；关断驱动电路包括关断驱动NMOS管Q_{dri_off}，关断驱动NMOS管Q_{dri_off}的源极连接驱动电压源U_dri的负极，关断驱动NMOS管Q_{dri_off}的漏极连接关断驱动二极管D_off的阴极，关断驱动二极管D_off的阳极连接关断电感饱和控制电路的输入端，关断电感饱和控制电路的输出端连接eGaN HEMT的栅极。