[发明专利]一种采用脉冲激光分子束外延制备HfO2薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910406371.2 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110295348A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李涛 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523808 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用脉冲激光分子束外延制备HfO2基薄膜的方法，属于材料制备技术领域。以YSZ为衬底，首先对衬底进行清洗和退火处理，充分除去衬底的内应力和表面有机物；然后以金属铪和掺杂元素为靶材，在超真空状态下，采用脉冲激光分子束外延法在衬底表面生长HfO2基薄膜；之后对生长好的薄膜进行原位退火处理，得到稳定的HfO2基薄膜。本发明采用脉冲激光沉积和分子束外延联用，并结合反射高能电子衍射仪实时监控，通过对氧压、激光能量、衬底温度和退火温度进行优化，实现薄膜原子尺度外延生长的精确控制，具有纯度高、层状结构可控的优点，同时为相应的激光与物质相互作用和成膜过程的基础研究提供思路。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 分子束外延 脉冲激光 基薄膜 制备 反射高能电子衍射仪 退火 材料制备技术 分子束外延法 脉冲激光沉积 表面有机物 薄膜原子 层状结构 掺杂元素 衬底表面 成膜过程 基础研究 激光能量 实时监控 退火处理 外延生长 原位退火 真空状态 金属铪 可控的 生长 靶材 联用 氧压 薄膜 清洗 激光 尺度 优化 | ||
【主权项】：
1.一种采用脉冲激光分子束外延制备HfO2基薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.对YSZ衬底进行清洗和抛光处理，然后将清洗后的YSZ衬底放入管式炉中在1150‑1250℃下退火2‑3h；S2.将步骤S1退火处理后的YSZ衬底放入生长室，在超高真空状态下，采用脉冲激光束轰击金属铪靶和掺杂剂靶，靶材熔融气化形成气态原子在一定温度的YSZ衬底表面生长，生长过程中通入氧的等离子体；S3.将生长完成后的样品进行原位退火处理，制得稳定的HfO2基薄膜。
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