[发明专利]一种3D TLC闪存存储器及其数据写入方法和装置在审
| 申请号： | 201910407393.0 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN111949197A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 陈诚 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02;G06F12/1009 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种3D TLC闪存存储器及其数据写入方法和装置。该3D TLC闪存存储器包括单层存储单元缓冲数据块和三层存储单元存储数据块，所述数据写入方法包括：接收数据写入命令；根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中；在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时，选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。本发明实施例解决了在掉电等异常情况下3D TLC闪存存储器中浮栅电荷量容易受到影响而导致数据稳定性降低的问题，改善了掉电等异常情况下的数据的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tlc 闪存 存储器 及其 数据 写入 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京兆易创新科技股份有限公司，未经北京兆易创新科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910407393.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
