[发明专利]半导体制造设备及半导体制造方法在审
| 申请号： | 201910407445.4 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN111952139A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 李华 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的半导体制造设备及半导体制造方法，包括多个真空腔室、缓冲装置及机械手，其中一个真空腔室用作传输腔室，其余真空腔室用作功能腔室环绕设置在传输腔室周围，缓冲装置设置在至少一个真空腔室中，用于承载晶片，真空机械手设置在传输腔室中，用于在任意两个功能腔室之间传递晶片，且能够将晶片传递至所述缓冲装置上。通过将缓冲装置设置在真空腔室中，延长晶片在真空状态下的时间，由于真空腔室的真空度远高于工厂抽气的真空度，因此对残气的处理效果更优，另外，由于缓冲装置设置在真空腔室，晶片在残气处理之前不会与空气中的水汽接触，从而避免影响晶片质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 设备 方法 | ||
【主权项】：
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