[发明专利]一种磁流变抛光去除函数的提取方法及装置有效
| 申请号： | 201910407648.3 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110245317B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 唐才学;温圣林;张远航;颜浩;嵇保建;王翔峰;邓燕;石琦凯;张清华;李昂 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | G06F17/10 | 分类号： | G06F17/10;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 曹鹏飞 |
| 地址： | 621900*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种磁流变抛光去除函数的提取方法及装置，该方法包括：获取基片元件采斑前和采斑后的面形检测数据；所述基片元件边缘处带有位置标记；根据所述采斑前、采斑后的面形检测数据及基片元件的位置标记，计算得残差数据；对所述残差数据进行中值滤波处理；对滤波处理后的残差数据，采用椭圆弧逼近去除函数轮廓，生成多个含有相同参数的去除函数；对所述多个含有相同参数的去除函数，执行数据偏移、求平均操作，提取去除函数。该方法能够准确提取磁流变抛光去除函数，提高去除函数准确性与磁流变加工精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 流变 抛光 去除 函数 提取 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁流变抛光去除函数的提取方法，其特征在于，包括：获取基片元件采斑前和采斑后的面形检测数据；所述基片元件边缘处带有位置标记；根据所述采斑前、采斑后的面形检测数据及基片元件的位置标记，计算得残差数据；对所述残差数据进行中值滤波处理；对滤波处理后的残差数据，采用椭圆弧逼近去除函数轮廓，生成多个含有相同参数的去除函数；对所述多个含有相同参数的去除函数，执行数据偏移、求平均操作，提取去除函数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院激光聚变研究中心，未经中国工程物理研究院激光聚变研究中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910407648.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电离层参数的反演方法
- 下一篇：一种模仿盲人行走原理的方程求解算法
