[发明专利]一种纳米管状二硫化钼的制备方法在审
| 申请号： | 201910409692.8 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110104686A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 段司航;郭俊宏;王巍 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米管状二硫化钼的制备方法，方法具体采用CVD法进行二硫化钼制备，首先将指定量的S粉放置在CVD管式炉中指定的低温区中心，并将指定量的钼源放置在CVD管式炉中指定的高温区中心，同时将在酒精中经过超声波清洗的硅片放置在不同位置进行制备，其中，可将硅片埋于S粉中，或直接至于钼源正上方，或通过陶瓷块架高后至于钼源正上方；然后，在CVD管式炉中通入指定流速的惰性气体；最后，通过控制CVD管式炉中氩气流速、气压、反应物的量和硅片摆放的位置距离等条件，得到层数较薄、结构规则的纳米管状二硫化钼；本发明制备二硫化钼操作简单，而且成本低廉，效率高，得到的二硫化钼为规则的管状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 制备 纳米管状 钼源 硅片 超声波清洗 惰性气体 管状结构 硅片放置 结构规则 位置距离 氩气流速 低温区 反应物 高温区 陶瓷块 气压 酒精 摆放 | ||
【主权项】：
1.一种纳米管状二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述方法采用CVD法在CVD管式炉中进行，所述方法具体包括：首先，将预定质量的S粉置于所述CVD管式炉中的低温区中心，以及将预定质量的钼源置于所述CVD管式炉中的高温区中心；然后，设定所述CVD管式炉的惰性气体流速；最后，调整硅片的位置、整体的加热时间和加热温度，通过自然降温制备获取得到纳米管状二硫化钼。
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