[发明专利]一种非易失自旋轨道转矩元件及其转矩方法有效
| 申请号： | 201910410776.3 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110224063B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 温嘉红;赵晓宇;骆泳铭;周铁军 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/85;H10N50/20;H10N50/01;G11C11/16;G11C13/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及信息储存技术领域，具体涉及一种非易失自旋轨道转矩元件，包括：用于承载所述元件衬底；设置于衬底上方的第一电极；由重金属薄膜以及阻变薄膜组合沉积构成的异质结构层；以及形成于异质结构层上方的第二电极。在所述非易失自旋轨道转矩元件的第一电极以及第二电极处施加外加电场，能够实现阻变效应对自旋轨道转矩的磁矩翻转的调控。本发明克服了现有技术中的自旋轨道转矩驱动器件通过电流或电压调控的磁矩反转过程是易失的这一缺陷，而本发明的磁矩反转过程是非易失性的，当撤去电流或电压后，磁矩的翻转态会继续存在。本发明中使用的调节电压为低电压，调控过程中不会产生大量的能量损耗，有利于器件的节能化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 自旋 轨道 转矩 元件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失自旋轨道转矩元件，其特征在于，包括：衬底，用于承载所述元件，所述的衬底为硅基衬底；第一电极，所述的第一电极设置于衬底上方；异质结构层，所述的异质结构层设置于第一电极上方，其由重金属薄膜、铁磁性金属薄膜以及阻变薄膜组合沉积构成；第二电极，所述第二电极形成于异质结构层上方。
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