[发明专利]一种非极性ALGAN基肖特基紫外探测器

摘要

本发明提供一种非极性AlGaN基肖特基紫外探测器，由下至上依次设置衬底、低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、AlN/AlxGa1‑xN超晶格结构、n型掺杂n‑AlyGa1‑yN层、n型掺杂n‑AlzGa1‑zN吸收层、AlN势垒增强层、金属薄膜层，在n‑AlyGa1‑yN层引出欧姆电极，其中0yzx1。由于非极性n‑AlyGa1‑yN层内存在由阳极指向阴极的横向极化电场，所以会加快光生载流子在n‑AlyGa1‑yN层迁移至欧姆电极处，从而极大地提高光电流的产生效率，进而提高器件的光电转换效率与响应度。插入AlN/AlxGa1‑xN超晶格结构，增加缓冲层势垒高度的同时，提高AlGaN外延层的晶体质量。在n‑AlzGa1‑zN吸收层和金属薄膜层之间插入AlN势垒增强层，可有效增加肖特基势垒高度与厚度。因此，AlN/AlxGa1‑xN超晶格结构和AlN势垒增强层的插入有利于减小器件的暗电流，提高探测器的信噪比和稳定性。

主权项

1.一种非极性AlGaN基肖特基紫外探测器，其特征在于：包括由下至上依次设置的衬底（101）、低温AlN成核层（102）、高温AlN缓冲层（103）、AlN/Al_xGa_1‑xN超晶格结构（104）、n型掺杂n‑Al_yGa_1‑yN层（105）、n型掺杂n‑Al_zGa_1‑zN吸收层（106）、AlN势垒增强层（107）、金属薄膜层（108），在n‑Al_yGa_1‑yN层（105）上引出欧姆电极（109）；除衬底（101）、金属薄膜层（108）和欧姆电极（109）之外，其余各层均由非极性AlGaN基材料构成，其中0<y<z<x<1。