[发明专利]一种MXene基电磁屏蔽涂层材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种MXene基电磁屏蔽涂层材料的制备方法，所述方法通过直接氢氟酸刻蚀或者原位生成氢氟酸的方法刻蚀MAX相，随后进行剥离处理得到单片层且低缺陷的MXene分散液，然后利用多巴胺对MXene进行改性，采用简单的一步法制备出聚乙烯醇包裹的聚吡咯小球分散液，随后将多巴胺改性的MXene与聚乙烯醇包裹的聚吡咯小球分散液均匀混合，形成具有优异粘附性和高导电性的MXene基电磁屏蔽涂层材料。本发明制备的MXene基电磁屏蔽涂层材料既具有金属基电磁屏蔽涂料的高性能，又兼具碳系电磁屏蔽涂料的低成本和轻质的特点，可涂覆至任何需要防护电磁波的基体材料表面，拓宽了MXene在高性能电磁屏蔽领域的应用。

主权项

1.一种MXene基电磁屏蔽涂层材料的制备方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：步骤一、将MXene分散于超纯水中并超声处理5～10min，得到MXene分散液；步骤二、将盐酸多巴胺加入MXene分散液中，在100～200r/min下磁力搅拌反应5～20min；步骤三、将Tris‑HCl缓冲液加入到步骤二的混合液中调节其pH至8.0～8.5，最后在25～60℃中搅拌反应12～24h离心提纯得到溶液A；步骤四、将0.5～2g的聚乙烯醇分散于100～400mL的超纯水中，加热到80～100℃，并在100～200r/min下搅拌30～60min使其充分溶解；步骤五、将6.2～24.8g的FeCl₃·6H₂O加入到步骤四的聚乙烯醇溶液中，并在100～200r/min下充分搅拌均匀，然后将700μL～2.8mL吡咯单体加入上述混合溶液体系中，随后在0～5℃和100～150r/min的条件下搅拌反应2～4h；步骤六、将步骤五所得混合体系进行透析24～48h，随后加入氨水调节其pH至8，最后在4000～5000r/min转速下离心5～10min，得到溶液B；步骤七、将溶液A和溶液B按照溶质质量比为1～10:1的比例在磁力搅拌转速为100～200r/min下进行混合，随后在100～200W功率下超声处理5～10min，得到MXene基电磁屏蔽涂层材料。