[发明专利]具有超结结构的SOI横向LDMOS器件及制作方法在审
| 申请号： | 201910411752.X | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN111952351A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王凡 | 申请（专利权）人： | 宁波宝芯源功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有超结结构的SOI横向LDMOS器件及制作方法，器件包括：图形SOI衬底，其绝缘层中具有窗口，窗口中具有N型外延层及N型连接区；N型体区；超结结构，其一侧并与N型体区横向连接，超结结构包括层叠的N型超结体区及P型超结体区；P型体区，连接于超结结构的另一侧；P型源区；N型重掺杂衬底接触区；P型漏区，形成于P型体区中；场氧化层，形成于P型超结体区中；栅氧化层，横跨于P型源区及P型超结体区之间；栅极层，形成于栅氧化层上。本发明的超结结构可有效降低器件的导通电阻，降低器件表面电场。本发明的场氧化层可以使得器件的击穿电压位于衬底之中，防止器件表面电场过大而导致的击穿电压降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 soi 横向 ldmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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