[发明专利]一种阵列基板、其制备方法及显示面板有效
申请号: | 201910412086.1 | 申请日: | 2019-05-17 |
公开(公告)号: | CN110112146B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 方金钢;丁录科;刘军;周斌;成军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及显示技术领域,公开一种阵列基板、其制备方法及显示面板,阵列基板包括:阵列基板包括衬底,其中:衬底与电容区相对的部位设有用于形成薄膜晶体管的栅极、有源层、源漏极;源漏极与衬底之间形成有至少两层介质层,其中至少一层介质层与电容区相对的部分的厚度大于与RGB显示区相对的部分的厚度;源漏极背离衬底一侧依次设有钝化层和平坦化层,钝化层和平坦化层与电容区相对的部分的厚度大于与RGB显示区相对的部分的厚度。上述阵列基板,通过使介质层与电容区相对的部位的厚度大于与RGB显示区相对的部位的厚度,可避免在制作阳极与源漏极连接的过孔时,光刻胶曝光时间过长或者平坦化层被损伤的情况。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:所述阵列基板包括电容区和显示区,所述显示区包括RGB显示区,所述阵列基板包括衬底,其中:所述衬底与所述电容区相对的部位设有用于形成薄膜晶体管的栅极、有源层、源漏极;所述源漏极与所述衬底之间形成有至少两层介质层,其中至少一层所述介质层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度;源漏极背离所述衬底一侧依次设有钝化层和平坦化层,所述钝化层和平坦化层与所述电容区相对的部分的厚度大于与所述RGB显示区相对的部分的厚度;在与所述RGB显示区的部分,所述钝化层背离所述衬底的一侧设有RGB色阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910412086.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示装置
- 下一篇:一种LED显示模块及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的