[发明专利]半导体晶片划片装置及划片方法在审
| 申请号： | 201910412105.0 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110190010A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 吴永胜;林新;汪雪琴 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/78;B23K26/38 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 郭东亮;蔡学俊 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出半导体晶片划片装置，所述划片装置包括激光器和晶片模具；所述晶片模具包括在激光入射方向上顺序设置的划片掩模、晶片和用于承载半导体晶片的晶片承载架；所述划片掩模包括可透过激光的刻划区和对激光阻断的阻断区；所述刻划区与阻断区形成掩模图形；所述掩模图形包括半导体晶片的预计划分形状；当进行晶片划分时，激光器的激光穿过划片掩模的刻划区，按掩模图形对晶片承载架上的晶片进行切割；本发明能提升半导体晶片划片作业的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶片 划片 晶片 划片装置 掩模图形 刻划 掩模 激光 晶片承载 激光器 模具 激光入射方向 顺序设置 可透过 切割 承载 穿过 | ||
【主权项】：
1.半导体晶片划片装置，其特征在于：所述划片装置（10）包括激光器（15）和晶片模具；所述晶片模具包括在激光入射方向上顺序设置的划片掩模（13）、晶片和用于承载半导体晶片的晶片承载架（11）；所述划片掩模包括可透过激光的刻划区（133）和对激光阻断的阻断区（131）；所述刻划区与阻断区形成掩模图形；所述掩模图形包括半导体晶片的预计划分形状；当进行晶片划分时，激光器的激光穿过划片掩模的刻划区，按掩模图形对晶片承载架上的晶片进行切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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